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HUFA75345P3

HUFA75345P3

僅供參考

型號 HUFA75345P3
PNEDA編號 HUFA75345P3
描述 MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,448
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HUFA75345P3資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HUFA75345P3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
HUFA75345P3, HUFA75345P3數據表 (總頁數: 10, 大小: 571.79 KB)
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HUFA75345P3規格

制造商ON Semiconductor
系列UltraFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)75A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs275nC @ 20V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)325W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3
包裝/箱TO-220-3

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2115pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-SOIC

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

PSMN6R0-25YLDX

Nexperia

制造商

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

61A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.75mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

705pF @ 12V

FET功能

Schottky Diode (Body)

功耗(最大值)

43W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

LFPAK56, Power-SO8

包裝/箱

SC-100, SOT-669

制造商

NXP USA Inc.

系列

TrenchPLUS

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.1mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

83nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6808pF @ 25V

FET功能

Temperature Sensing Diode

功耗(最大值)

272W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-5

包裝/箱

TO-220-5

IPI100P03P3L-04

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制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 475µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

+5V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta), 2.1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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