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HUFA75617D3ST

HUFA75617D3ST

僅供參考

型號 HUFA75617D3ST
PNEDA編號 HUFA75617D3ST
描述 MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,658
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HUFA75617D3ST資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HUFA75617D3ST
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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HUFA75617D3ST規格

制造商ON Semiconductor
系列UltraFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs39nC @ 20V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds570pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)64W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252AA
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.43Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

54pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-251

包裝/箱

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

制造商

IXYS

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110Ohm @ 50mA, 0V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

120pF @ 25V

FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

1.1W (Ta), 25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

13V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 1.5A, 13V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 130µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

26.4W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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功耗(最大值)

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