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HUFA76645S3ST-F085

HUFA76645S3ST-F085

僅供參考

型號 HUFA76645S3ST-F085
PNEDA編號 HUFA76645S3ST-F085
描述 MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,004
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HUFA76645S3ST-F085資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HUFA76645S3ST-F085
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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HUFA76645S3ST-F085規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)75A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs14mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs153nC @ 10V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)310W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

99mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.75V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1920pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

210W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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50A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

88nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7800pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta), 45W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

160pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

54A (Ta), 85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3509pF @ 15V

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