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HYB25D512800CE-6

HYB25D512800CE-6

僅供參考

型號 HYB25D512800CE-6
PNEDA編號 HYB25D512800CE-6
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
制造商 Qimonda
單價 請求報價
庫存 16,236
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 20 - 四月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HYB25D512800CE-6資源

品牌 Qimonda
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HYB25D512800CE-6
類別半導體內存IC內存
數據表
HYB25D512800CE-6, HYB25D512800CE-6數據表 (總頁數: 42, 大小: 2,502.39 KB)
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HYB25D512800CE-6規格

制造商Qimonda
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝66-TSOP II

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

28-SOIC

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

16Mb (2M x 8)

內存接口

Serial

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

800µs

訪問時間

7ns

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

16-SOIC

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

450ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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