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IDD04SG60CXTMA2

IDD04SG60CXTMA2

僅供參考

型號 IDD04SG60CXTMA2
PNEDA編號 IDD04SG60CXTMA2
描述 DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,714
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDD04SG60CXTMA2資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDD04SG60CXTMA2
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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IDD04SG60CXTMA2規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™+
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)4A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.3V @ 4A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 600V
電容@ Vr,F80pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝PG-TO252-3
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 200V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 30V

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

6mA @ 25V

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包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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工作溫度-結點

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