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IDDD20G65C6XTMA1

IDDD20G65C6XTMA1

僅供參考

型號 IDDD20G65C6XTMA1
PNEDA編號 IDDD20G65C6XTMA1
描述 SIC DIODES
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,736
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDDD20G65C6XTMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDDD20G65C6XTMA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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IDDD20G65C6XTMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™+
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)51A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr67µA @ 420V
電容@ Vr,F970pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱10-PowerSOP Module
供應商設備包裝PG-HDSOP-10-1
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

25A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.14V @ 25A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-263AB (D²PAK)

工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

35pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Central Semiconductor Corp

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

75V

電流-平均整流(Io)

250mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

25nA @ 20V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-23

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制造商

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.05V @ 150A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

26µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

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工作溫度-結點

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30V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

470mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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