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IDH02G65C5XKSA1

IDH02G65C5XKSA1

僅供參考

型號 IDH02G65C5XKSA1
PNEDA編號 IDH02G65C5XKSA1
描述 DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO220-2
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,408
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 2 - 五月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDH02G65C5XKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDH02G65C5XKSA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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IDH02G65C5XKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™+
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)2A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 2A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr35µA @ 650V
電容@ Vr,F70pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝PG-TO220-2
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

790mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 25V

電容@ Vr,F

10pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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1.7V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

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