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IDH04SG60CXKSA2

IDH04SG60CXKSA2

僅供參考

型號 IDH04SG60CXKSA2
PNEDA編號 IDH04SG60CXKSA2
描述 DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-2
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,038
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDH04SG60CXKSA2資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDH04SG60CXKSA2
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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IDH04SG60CXKSA2規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™+
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)4A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.3V @ 4A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr25µA @ 600V
電容@ Vr,F80pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝PG-TO220-2-1
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

4mA @ 1200V

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

70mA @ 3600V

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

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