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IDH10S60CAKSA1

IDH10S60CAKSA1

僅供參考

型號 IDH10S60CAKSA1
PNEDA編號 IDH10S60CAKSA1
描述 DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220-2
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,024
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDH10S60CAKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDH10S60CAKSA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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IDH10S60CAKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™+
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)10A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 10A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr140µA @ 600V
電容@ Vr,F480pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝PG-TO220-2-2
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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460mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 25V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

600ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

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