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IDK03G65C5XTMA2

IDK03G65C5XTMA2

僅供參考

型號 IDK03G65C5XTMA2
PNEDA編號 IDK03G65C5XTMA2
描述 DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO263-2
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,412
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDK03G65C5XTMA2資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDK03G65C5XTMA2
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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IDK03G65C5XTMA2規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™+
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)3A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.8V @ 3A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 650V
電容@ Vr,F100pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝PG-TO263-2
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

6ns

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 30V

電容@ Vr,F

65pF @ 30V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

550µA @ 100V

電容@ Vr,F

500pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

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