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IDK04G65C5XTMA2

IDK04G65C5XTMA2

僅供參考

型號 IDK04G65C5XTMA2
PNEDA編號 IDK04G65C5XTMA2
描述 DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO263-2
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,096
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDK04G65C5XTMA2資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDK04G65C5XTMA2
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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IDK04G65C5XTMA2規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™+
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)4A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.8V @ 4A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr670µA @ 650V
電容@ Vr,F130pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝PG-TO263-2
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AC, DO-15, Axial

供應商設備包裝

DO-204AC (DO-15)

工作溫度-結點

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 50V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 15A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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Chassis, Stud Mount

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