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IDL04G65C5XUMA1

IDL04G65C5XUMA1

僅供參考

型號 IDL04G65C5XUMA1
PNEDA編號 IDL04G65C5XUMA1
描述 DIODE SCHOTTKY 650V 4A VSON-4
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,718
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 28 - 二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDL04G65C5XUMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDL04G65C5XUMA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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IDL04G65C5XUMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™+
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)4A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 4A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr70µA @ 650V
電容@ Vr,F130pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱4-PowerTSFN
供應商設備包裝PG-VSON-4
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3.5µA @ 100V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Surface Mount

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 75V

電容@ Vr,F

10pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

410mV @ 19A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

6mA @ 15V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 100V

電容@ Vr,F

70pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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