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IDL06G65C5XUMA2

IDL06G65C5XUMA2

僅供參考

型號 IDL06G65C5XUMA2
PNEDA編號 IDL06G65C5XUMA2
描述 DIODE SCHOTTKY 650V 6A VSON-4
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,912
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 10 - 十一月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDL06G65C5XUMA2資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDL06G65C5XUMA2
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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IDL06G65C5XUMA2規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™+
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)6A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 6A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr110µA @ 650V
電容@ Vr,F190pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱4-PowerTSFN
供應商設備包裝PG-VSON-4
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

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