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IDM10G120C5XTMA1

IDM10G120C5XTMA1

僅供參考

型號 IDM10G120C5XTMA1
PNEDA編號 IDM10G120C5XTMA1
描述 DIODE SCHTKY 1200V 38A PGTO252-2
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,254
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDM10G120C5XTMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDM10G120C5XTMA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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IDM10G120C5XTMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™+
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)38A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.8V @ 10A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr62µA @ 12V
電容@ Vr,F29pF @ 800V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝PG-TO252-2
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.9V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

80µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

100pF @ 4V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

60ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

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