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IDP40E65D2XKSA1

IDP40E65D2XKSA1

僅供參考

型號 IDP40E65D2XKSA1
PNEDA編號 IDP40E65D2XKSA1
描述 DIODE GEN PURP 650V 40A TO220-2
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 13,722
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 29 - 二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDP40E65D2XKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDP40E65D2XKSA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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IDP40E65D2XKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)40A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.3V @ 40A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr40µA @ 650V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220-2
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

80ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 300mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 20V

電容@ Vr,F

20pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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DO-35

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

15mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 15mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

1ns

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 30V

電容@ Vr,F

2.2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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