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IDT6116SA35SO

IDT6116SA35SO

僅供參考

型號 IDT6116SA35SO
PNEDA編號 IDT6116SA35SO
描述 IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 7,110
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT6116SA35SO資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT6116SA35SO
類別半導體內存IC內存
數據表
IDT6116SA35SO, IDT6116SA35SO數據表 (總頁數: 11, 大小: 111.49 KB)
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IDT6116SA35SO規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小16Kb (2K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁35ns
訪問時間35ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
供應商設備包裝24-SOIC

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內存接口

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時鐘頻率

3MHz

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訪問時間

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

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內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

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訪問時間

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電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

2.4V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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