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IDT70824S35G

IDT70824S35G

僅供參考

型號 IDT70824S35G
PNEDA編號 IDT70824S35G
描述 IC RAM 64K PARALLEL 84PGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 7,128
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT70824S35G資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT70824S35G
類別半導體內存IC內存
數據表
IDT70824S35G, IDT70824S35G數據表 (總頁數: 21, 大小: 191.1 KB)
PDFIDT70824S35PF8數據表 封面
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IDT70824S35G規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式RAM
技術SARAM
內存大小64Kb (4K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁35ns
訪問時間35ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱84-BPGA
供應商設備包裝84-PGA (27.94x27.94)

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內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-WDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

8-WSON (6x8)

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EPROM

技術

EPROM - OTP

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

90ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

7.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-TBGA

供應商設備包裝

165-CABGA (13x15)

93C86C-I/S15K

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8, 1K x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

2ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

供應商設備包裝

Die

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內存類型

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內存大小

8Gb (256M x 32)

內存接口

-

時鐘頻率

2.133GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

0.6V, 1.1V

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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