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IDT709199L9PF

IDT709199L9PF

僅供參考

型號 IDT709199L9PF
PNEDA編號 IDT709199L9PF
描述 IC SRAM 1.125M PARALLEL 100TQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 2,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT709199L9PF資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT709199L9PF
類別半導體內存IC內存
數據表
IDT709199L9PF, IDT709199L9PF數據表 (總頁數: 15, 大小: 157.24 KB)
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IDT709199L9PF規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Synchronous
內存大小1.125Mb (128K x 9)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間9ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-TQFP (14x14)

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

1ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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技術

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

14ns

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電壓-供電

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

150ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.6V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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