IDT70P3337S250RM
僅供參考
| 型號 | IDT70P3337S250RM |
| PNEDA編號 | IDT70P3337S250RM |
| 描述 | IC SRAM 9M PARALLEL 576FCBGA |
| 制造商 | IDT, Integrated Device Technology |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 5,940 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸) |
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IDT70P3337S250RM資源
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IDT70P3337S250RM規格
| 制造商 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 系列 | - |
| 內存類型 | Volatile |
| 內存格式 | SRAM |
| 技術 | SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II |
| 內存大小 | 9Mb (512K x 18) |
| 內存接口 | Parallel |
| 時鐘頻率 | 250MHz |
| 寫周期-字，頁 | - |
| 訪問時間 | 6.3ns |
| 電壓-供電 | 1.7V ~ 1.9V |
| 工作溫度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 576-BBGA, FCBGA |
| 供應商設備包裝 | 576-FCBGA (25x25) |
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