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IDT70T633S12DDI

IDT70T633S12DDI

僅供參考

型號 IDT70T633S12DDI
PNEDA編號 IDT70T633S12DDI
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 144TQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 6,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT70T633S12DDI資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT70T633S12DDI
類別半導體內存IC內存

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IDT70T633S12DDI規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小9Mb (512K x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電2.4V ~ 2.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱144-LQFP Exposed Pad
供應商設備包裝144-TQFP (20x20)

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時鐘頻率

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

80ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

128Kb (16K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

17ns

訪問時間

17ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

DRAM

內存大小

576Mb (32M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

15ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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