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IDT71124S15Y8

IDT71124S15Y8

僅供參考

型號 IDT71124S15Y8
PNEDA編號 IDT71124S15Y8
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 5,526
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT71124S15Y8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT71124S15Y8
類別半導體內存IC內存

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IDT71124S15Y8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁15ns
訪問時間15ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝32-SOJ

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訪問時間

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電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存接口

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時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

6ms

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IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存大小

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內存接口

-

時鐘頻率

1866MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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