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IDT71V016SA10Y8

IDT71V016SA10Y8

僅供參考

型號 IDT71V016SA10Y8
PNEDA編號 IDT71V016SA10Y8
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 5,166
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT71V016SA10Y8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT71V016SA10Y8
類別半導體內存IC內存
數據表
IDT71V016SA10Y8, IDT71V016SA10Y8數據表 (總頁數: 9, 大小: 907.79 KB)
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IDT71V016SA10Y8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小1Mb (64K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電3.15V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-SOJ

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

-

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

64Kb (4K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR4

內存大小

4Gb (512M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.33GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

2Mb (128K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-TSOP II

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Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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