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IDT71V256SA15Y8

IDT71V256SA15Y8

僅供參考

型號 IDT71V256SA15Y8
PNEDA編號 IDT71V256SA15Y8
描述 IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 5,382
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT71V256SA15Y8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT71V256SA15Y8
類別半導體內存IC內存

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IDT71V256SA15Y8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁15ns
訪問時間15ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
供應商設備包裝28-SOJ

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內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

256Mb (8M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-VFBGA

供應商設備包裝

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制造商

Microchip Technology

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內存類型

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內存格式

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內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Micron Technology Inc.

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Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

576Mb (32M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

12ns

電壓-供電

1.28V ~ 1.42V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

168-BGA (13.5x13.5)

MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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