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IDT71V3577SA75BGGI

IDT71V3577SA75BGGI

僅供參考

型號 IDT71V3577SA75BGGI
PNEDA編號 IDT71V3577SA75BGGI
描述 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 7,002
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT71V3577SA75BGGI資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT71V3577SA75BGGI
類別半導體內存IC內存
數據表
IDT71V3577SA75BGGI, IDT71V3577SA75BGGI數據表 (總頁數: 22, 大小: 629.45 KB)
PDFIDT71V3579S85PFI8數據表 封面
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IDT71V3577SA75BGGI規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小4.5Mb (128K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁-
訪問時間7.5ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱119-BGA
供應商設備包裝119-PBGA (14x22)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

400ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

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工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

200-WFBGA

供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

64Kb (4K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

224b (28 x 8)

內存接口

1-Wire®

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.8V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)

供應商設備包裝

6-TSOC

24LC32A/SN

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

32Kb (4K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

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