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IDT71V416S12YI8

IDT71V416S12YI8

僅供參考

型號 IDT71V416S12YI8
PNEDA編號 IDT71V416S12YI8
描述 IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 4,626
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT71V416S12YI8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT71V416S12YI8
類別半導體內存IC內存
數據表
IDT71V416S12YI8, IDT71V416S12YI8數據表 (總頁數: 9, 大小: 101.32 KB)
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IDT71V416S12YI8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小4Mb (256K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-SOJ

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

10µs

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

48-TFBGA

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

256Kb (16K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

256Mb (8M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

90-TFBGA (8x13)

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Micron Technology Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR3

內存大小

16Gb (256M x 64)

內存接口

-

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.2V

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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