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IDT71V424L10Y

IDT71V424L10Y

僅供參考

型號 IDT71V424L10Y
PNEDA編號 IDT71V424L10Y
描述 IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 4,338
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT71V424L10Y資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT71V424L10Y
類別半導體內存IC內存

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IDT71V424L10Y規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小4Mb (512K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁10ns
訪問時間10ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝36-SOJ

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

-

包裝/箱

-

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

8Gb (1G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

63-BGA (11x9)

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制造商

Rohm Semiconductor

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.6V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)

供應商設備包裝

8-MSOP

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內存類型

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內存大小

4Gb (512M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.2GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.2V

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

CY14B104N-BA25XIT

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

48-FBGA (6x10)

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