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IDT71V424YS12PH

IDT71V424YS12PH

僅供參考

型號 IDT71V424YS12PH
PNEDA編號 IDT71V424YS12PH
描述 IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 6,012
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 9 - 十一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDT71V424YS12PH資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDT71V424YS12PH
類別半導體內存IC內存

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IDT71V424YS12PH規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小4Mb (512K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁12ns
訪問時間12ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP II

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

-

電壓-供電

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安裝類型

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

183MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.3ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

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內存格式

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內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

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安裝類型

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPSDR

內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

125MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

7ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-20°C ~ 75°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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