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IDV15E65D2XKSA1

IDV15E65D2XKSA1

僅供參考

型號 IDV15E65D2XKSA1
PNEDA編號 IDV15E65D2XKSA1
描述 DIODE GEN PURP 650V 15A TO220-2
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,028
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDV15E65D2XKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDV15E65D2XKSA1
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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IDV15E65D2XKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)15A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.2V @ 15A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)47ns
當前-反向泄漏@ Vr40µA @ 650V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220-2
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C

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200V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SMB

工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

300V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 300V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 100V

電容@ Vr,F

1.5pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

-

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