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IDW30G120C5BFKSA1

IDW30G120C5BFKSA1

僅供參考

型號 IDW30G120C5BFKSA1
PNEDA編號 IDW30G120C5BFKSA1
描述 DIODE GEN PURP 1200V 44A TO247-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 10,584
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IDW30G120C5BFKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IDW30G120C5BFKSA1
類別半導體二極管與整流器整流器-數組

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IDW30G120C5BFKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolSiC™+
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)44A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.65V @ 15A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr124µA @ 1200V
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝PG-TO247-3

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 45V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 40V

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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速度

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