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IFT150B12N3E4BOSA1

IFT150B12N3E4BOSA1

僅供參考

型號 IFT150B12N3E4BOSA1
PNEDA編號 IFT150B12N3E4BOSA1
描述 MOD IGBT LOW PWR ECONO
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,394
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IFT150B12N3E4BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IFT150B12N3E4BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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  • IFT150B12N3E4BOSA1 Distributor

IFT150B12N3E4BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
配置-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入-
NTC熱敏電阻-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
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當前-集電極(Ic)(最大值)

600A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

100nF @ 10V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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輸入電容(Cies)@ Vce

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3.9V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

16nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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