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IGOT60R070D1AUMA1

IGOT60R070D1AUMA1

僅供參考

型號 IGOT60R070D1AUMA1
PNEDA編號 IGOT60R070D1AUMA1
描述 IC GAN FET 600V 60A 20DSO
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,280
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IGOT60R070D1AUMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IGOT60R070D1AUMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IGOT60R070D1AUMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolGaN™
FET類型N-Channel
技術GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)31A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID1.6V @ 2.6mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds380pF @ 400V
FET功能-
功耗(最大值)125W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-DSO-20-87
包裝/箱20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 3.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

74W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.573Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

33pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

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供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.3mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5680pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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