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IMD23T108

IMD23T108

僅供參考

型號 IMD23T108
PNEDA編號 IMD23T108
描述 TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,106
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IMD23T108資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IMD23T108
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

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IMD23T108規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA, 500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)1kOhms, 10kOhms
電阻-發射極基(R2)10kOhms, 10kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce56 @ 50mA, 5V, 30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 50mA, 2.5mA, 300mV @ 10mA, 500µA
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡200MHz, 250MHz
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝SMT6

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1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

2.2kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

8 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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100mA

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電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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10kOhms

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