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IMH4AT110

IMH4AT110

僅供參考

型號 IMH4AT110
PNEDA編號 IMH4AT110
描述 TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,024
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 16 - 四月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IMH4AT110資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IMH4AT110
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
IMH4AT110, IMH4AT110數據表 (總頁數: 9, 大小: 1,302.1 KB)
PDFIMH4AT110數據表 封面
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IMH4AT110規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA (ICBO)
頻率-過渡250MHz
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝SMT6

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電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 5mA, 10V / 150 @ 2mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA / 300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA, 100µA

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