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IMH5AT108

IMH5AT108

僅供參考

型號 IMH5AT108
PNEDA編號 IMH5AT108
描述 TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,542
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 21 - 二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IMH5AT108資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IMH5AT108
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
IMH5AT108, IMH5AT108數據表 (總頁數: 7, 大小: 1,122.33 KB)
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IMH5AT108規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)22kOhms
電阻-發射極基(R2)22kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce56 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡250MHz
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝SMT6

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2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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100mA

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

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