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IMT18T110

IMT18T110

僅供參考

型號 IMT18T110
PNEDA編號 IMT18T110
描述 TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SMT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,286
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IMT18T110資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IMT18T110
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
IMT18T110, IMT18T110數據表 (總頁數: 11, 大小: 1,687.98 KB)
PDFIMT18T110數據表 封面
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IMT18T110規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 10mA, 200mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce270 @ 10mA, 2V
功率-最大300mW
頻率-過渡260MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝SMT6

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

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