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IMX17T108

IMX17T108

僅供參考

型號 IMX17T108
PNEDA編號 IMX17T108
描述 TRANS 2NPN 50V 0.5A 6SMT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,312
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IMX17T108資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IMX17T108
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
IMX17T108, IMX17T108數據表 (總頁數: 3, 大小: 79.79 KB)
PDFIMX17T110數據表 封面
IMX17T110數據表 頁面 2 IMX17T110數據表 頁面 3

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IMX17T108規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 100mA, 3V
功率-最大300mW
頻率-過渡250MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝SMT6

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Rohm Semiconductor

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

350MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

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工作溫度

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

350mW

頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 2mA, 10V

功率-最大

125mW

頻率-過渡

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工作溫度

125°C (TJ)

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