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IPA029N06NXKSA1

IPA029N06NXKSA1

僅供參考

型號 IPA029N06NXKSA1
PNEDA編號 IPA029N06NXKSA1
描述 MOSFET N-CH 60V TO220-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,884
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPA029N06NXKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPA029N06NXKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPA029N06NXKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)84A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.9mOhm @ 84A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.3V @ 75µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs66nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5125pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)38W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220-FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

310mOhm @ 600mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

36pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

240pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

570mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

126nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

660W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

+20V, -25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

159pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

600mW (Ta)

工作溫度

150°C

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