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IPA075N15N3GXKSA1

IPA075N15N3GXKSA1

僅供參考

型號 IPA075N15N3GXKSA1
PNEDA編號 IPA075N15N3GXKSA1
描述 MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 9,084
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPA075N15N3GXKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPA075N15N3GXKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPA075N15N3GXKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)43A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)8V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.5mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 270µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs93nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7280pF @ 75V
FET功能-
功耗(最大值)39W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220-3
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1960pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

43A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

330nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

400W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

220nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12200pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.65W (Ta), 90W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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