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IPA60R380E6XKSA1

IPA60R380E6XKSA1

僅供參考

型號 IPA60R380E6XKSA1
PNEDA編號 IPA60R380E6XKSA1
描述 MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220
制造商 Infineon Technologies
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庫存 6,894
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 3 - 一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPA60R380E6XKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPA60R380E6XKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPA60R380E6XKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs380mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 320µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs32nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds700pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)31W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220-FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 20A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4630pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 140µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

478pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.5nC @ 10V

Vgs(最大)

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

465mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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