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IPAN70R600P7SXKSA1

IPAN70R600P7SXKSA1

僅供參考

型號 IPAN70R600P7SXKSA1
PNEDA編號 IPAN70R600P7SXKSA1
描述 MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,470
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPAN70R600P7SXKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPAN70R600P7SXKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPAN70R600P7SXKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ P7
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)700V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs600mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 90µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10.5nC @ 10V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds364pF @ 400V
FET功能-
功耗(最大值)24.9W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220 Full Pack
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

170mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

71pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200mW (Ta)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

310pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta)

工作溫度

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

170pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 36W (Tc)

工作溫度

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 4mA

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