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IPB060N15N5ATMA1

IPB060N15N5ATMA1

僅供參考

型號 IPB060N15N5ATMA1
PNEDA編號 IPB060N15N5ATMA1
描述 MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,866
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPB060N15N5ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPB060N15N5ATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPB060N15N5ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)136A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)8V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6mOhm @ 68A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.6V @ 180µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs68nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5300pF @ 75V
FET功能-
功耗(最大值)250W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TO263-7
包裝/箱TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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45A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 12.5V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.2W (Ta), 25W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

128nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10400pF @ 25V

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4043pF @ 20V

FET功能

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功耗(最大值)

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