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IPB10N03LB

IPB10N03LB

僅供參考

型號 IPB10N03LB
PNEDA編號 IPB10N03LB
描述 MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,650
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPB10N03LB資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPB10N03LB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IPB10N03LB, IPB10N03LB數據表 (總頁數: 9, 大小: 204.52 KB)
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IPB10N03LB規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 20µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1639pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)58W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TO263-3
包裝/箱TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta), 69A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1683pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

770mW (Ta), 30.5W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.6mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

49nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3965pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta), 63W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

4.75V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1680pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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