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IPB136N08N3 G

IPB136N08N3 G

僅供參考

型號 IPB136N08N3 G
PNEDA編號 IPB136N08N3-G
描述 MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3
制造商 Infineon Technologies
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庫存 6,948
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 3 - 四月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPB136N08N3 G資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPB136N08N3 G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IPB136N08N3 G, IPB136N08N3 G數據表 (總頁數: 11, 大小: 1,019.89 KB)
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IPB136N08N3 G規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)45A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs13.6mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 33µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1730pF @ 40V
FET功能-
功耗(最大值)79W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.8nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.6mOhm @ 44A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

91nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6340pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

135W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

610mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

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功耗(最大值)

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