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IPB65R190C6ATMA1

IPB65R190C6ATMA1

僅供參考

型號 IPB65R190C6ATMA1
PNEDA編號 IPB65R190C6ATMA1
描述 MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263
制造商 Infineon Technologies
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庫存 2,268
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 13 - 六月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPB65R190C6ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPB65R190C6ATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IPB65R190C6ATMA1, IPB65R190C6ATMA1數據表 (總頁數: 19, 大小: 2,212 KB)
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  • IPB65R190C6ATMA1 Distributor

IPB65R190C6ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20.2A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 730µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs73nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1620pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)151W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2700pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

46W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

360nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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9.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 2.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 9.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50.6nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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