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IPB80N04S2H4ATMA2

IPB80N04S2H4ATMA2

僅供參考

型號 IPB80N04S2H4ATMA2
PNEDA編號 IPB80N04S2H4ATMA2
描述 MOSFET N-CHANNEL_30/40V
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,596
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPB80N04S2H4ATMA2資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPB80N04S2H4ATMA2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IPB80N04S2H4ATMA2, IPB80N04S2H4ATMA2數據表 (總頁數: 9, 大小: 190.42 KB)
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IPB80N04S2H4ATMA2規格

制造商Infineon Technologies
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4560pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 7.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Ta), 40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 20A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3170pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.7W (Ta), 37W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PQFN (3x3)

包裝/箱

8-VQFN Exposed Pad

IRL3303SPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 68W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 10V

Vgs(最大)

30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

105pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1.5mA

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83nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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FET功能

-

功耗(最大值)

104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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