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IPB80N04S404ATMA1

IPB80N04S404ATMA1

僅供參考

型號 IPB80N04S404ATMA1
PNEDA編號 IPB80N04S404ATMA1
描述 MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
制造商 Infineon Technologies
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庫存 6,210
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPB80N04S404ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPB80N04S404ATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPB80N04S404ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 35µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs43nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3440pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)71W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TO263-3-2
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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技術

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1575pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 27.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

850mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

750mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

78A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

41mOhm @ 21.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

139nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6120pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

446W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

830pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

41.6W (Tc)

工作溫度

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