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IPC022N03L3X1SA1

IPC022N03L3X1SA1

僅供參考

型號 IPC022N03L3X1SA1
PNEDA編號 IPC022N03L3X1SA1
描述 MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,614
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPC022N03L3X1SA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPC022N03L3X1SA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPC022N03L3X1SA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1A (Tj)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝Sawn on foil
包裝/箱Die

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3165pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3980pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 165W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.2mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

54nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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