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IPC055N03L3X1SA1

IPC055N03L3X1SA1

僅供參考

型號 IPC055N03L3X1SA1
PNEDA編號 IPC055N03L3X1SA1
描述 MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,408
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPC055N03L3X1SA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPC055N03L3X1SA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPC055N03L3X1SA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1A (Tj)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝Sawn on foil
包裝/箱Die

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

64A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 34A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 89W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

77mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

74nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4200pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.65W (Ta), 65W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6450pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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PowerPAK® SO-8

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

115mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.1nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta), 2.1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.4V @ 13µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1090pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

42W (Tc)

工作溫度

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