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IPC65R080CFDX1SA1

IPC65R080CFDX1SA1

僅供參考

型號 IPC65R080CFDX1SA1
PNEDA編號 IPC65R080CFDX1SA1
描述 MOSFET N-CH BARE DIE
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,862
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPC65R080CFDX1SA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPC65R080CFDX1SA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPC65R080CFDX1SA1規格

制造商Infineon Technologies
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.5mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

850mV @ 450µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 2.3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

105nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4560pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

278W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

47A (Ta), 303A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.7mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

139nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10144pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta), 134W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

467pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

750mW (Ta)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2600pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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