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IPD50R2K0CEBTMA1

IPD50R2K0CEBTMA1

僅供參考

型號 IPD50R2K0CEBTMA1
PNEDA編號 IPD50R2K0CEBTMA1
描述 CONSUMER
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,670
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPD50R2K0CEBTMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPD50R2K0CEBTMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IPD50R2K0CEBTMA1, IPD50R2K0CEBTMA1數據表 (總頁數: 14, 大小: 1,635.97 KB)
PDFIPD50R2K0CEBTMA1數據表 封面
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IPD50R2K0CEBTMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 11.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2865pF @ 12V

FET功能

-

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.6mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

980pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 196µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

275nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

23000pF @ 30V

FET功能

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功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

125nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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